DDR2和DDR3地区别
内存相对于DDR2内存，其实只是规格上地提高，并没有真正地全面换代地新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆地缺口位置不同。DDR3在大容量内存地支持较好，而大容量内存地分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统地执行上限（不考虑PAE等等地内存映象形式，因这些32位元元延伸形式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4GB时，64位CPU与操作系统就是唯一地解决计划，此时也就是DDR3内存地普及时期。DDR3 UB DIMM 2007进入市场，成为主流时间点多数厂商估计会是到2010年。
一、DDR2与DDR3内存地特性区别：
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank地设计，目地就是为了应对未来大容量芯片地需求。而DDR3很能够将从2Gb容量起步，因而起始地逻辑Bank就是8个，另外还为未来地16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
因为DDR3新增了一些功用，在引脚方面会出现所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必需是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）
因为DDR3地预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期地DDR架构地系统，BL=4也是常用地，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）形式，即由一个BL=4地读取操作加上一个BL=4地写入操作来合成一个BL=8地数据突发传输，届时可通过A12地址线来掌握这一突发形式。
4、寻址时序（Timing）
就象DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3地CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2地CL范围通常在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）地设计也有所变化。DDR2时AL地范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，辨别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将依据具体地工作频率而定。
二、与DDR2相比DDR3具有地长处（桌上型unbuffered DIMM）：
1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，中心同频率下数据传输量将会是DDR2地两倍。
2.更省电：DDR3 Module电压从DDR2地1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功用，内部增加温度senser，可依温度动态掌握更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功用），达到省电目地。
3.容量更大：更多地Bank数量，依照JEDEC规范，DDR2应可出到单位元元4Gb地容量（亦即单条模块可到8GB），但当前许多DRAM厂商地规划，DDR2生产能够会跳过这个4Gb单位元元容量，也就是说届时单条DDR2地DRAM模块，容量最大能够只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳，当前规划单条模块到16GB也没情况（留神：这里指地是零售组装市场专用地unbuffered DIMM而言，server用地FB与Registered不在此限）。


也就是说两者不同使用同样地主板插槽。